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        生长出来的碳化硅晶锭通过X射线定向仪，标记出所要加工的晶面以及晶面偏角，采用平面磨加工出所需晶面和定位边，再通过外周滚圆将晶锭加工成一定直径的“圆柱体”。

        在多线切割的工序中，将“圆柱体”切成一定厚度的“薄片”，对“薄片”的外周进行倒角后，并对每个“薄片”进行激光打码标记，就成为待加工的“毛坯片”。

        采用砂轮减薄和研磨相结合，将“毛坯片”表面的线切割损伤层去除，通过一步一步的研磨将“毛坯片”的厚度起伏（TTV和LTV）降低，同时降低表面粗糙度，最后通过化学机械抛光将“毛坯片”的表面粗糙度降低到0.2nm以下。

        最终“毛坯片”还需要经过一系列的化学清洗，以去除前道工序的化学残留、表面的颗粒和金属，得到可以应用在外延工序的碳化硅衬底。